点击图片查看原图
★设备用途：Si3N4、Poly-Si、SiO2薄膜生长的薄膜制备。
将原材料气体（或者液态源气化TEOS）热能激活发生化学应用而在基片表面生成固体薄膜。在低压下进行，由于气压低，气体分子平均自由程大，使生长的薄膜均匀性好，采用竖直放片，装片量大，适合于工业化生产。一次设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。
★设备特点：
★设备特点：
1. 计算机自动控制“工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力等程序；
2. 闭环控制，采用进口压力控制系统，稳定性高。
3. 管件、阀门采用进口耐腐蚀不锈钢，气路气密性长期可靠。
4. 工艺管、真空系统密封可靠安全指标高。
5. 反应气体分子送气和族射送气，避免气相反应产生
6. 报警功能及安全互锁装置设置合理，设备安全性能指标高。
7. 控制面板有良好的人机界面，灵活的工艺性能，使用更加方便。